Πληροφορίες μαθήματος
Στην ιστοσελίδα αυτή παρουσιάζουμε πληροφορίες για το μάθημα Εργαστήριο Φυσικής Ημιαγωγών, του Τμήματος Φυσικής, με βάση τον οδηγό σπουδών του Τμήματος.
Ο κατάλογος με τα προσφερόμενα μαθήματα του τρέχοντος ακαδημαϊκού έτους βρίσκεται εδώ.
Ο κατάλογος με πληροφορίες για όλα τα μαθήματα του Τμήματος βρίσκεται εδώ.
| Κωδικός | Φ-573 |
|---|---|
| Τίτλος | Εργαστήριο Φυσικής Ημιαγωγών |
| Κατηγορία | Β |
| ECTS | 5 |
| Ώρες | 4 |
| Επίπεδο | Μεταπτυχιακό |
| Εξάμηνο | Εαρινό |
| Διδάσκων | Α. Αδικημενάκης |
| Πρόγραμμα | Παρασκευή,10:00-14:00 |
| Ιστοσελίδα Μαθήματος | |
| Σκοπός Μαθήματος | Tο µάθηµα απευθύνεται σε µεταπτυχιακούς φοιτητές που ενδιαφέρονται να ασχοληθούν µε την έρευνα των ηµιαγωγών και ηµιαγωγικών διατάξεων. Απαιτεί επαρκείς γνώσεις φυσικής ηµιαγωγών και ηµιαγωγικών διατάξεων και περιλαµβάνει µία σειρά πειραµάτων µε σκοπό την καλύτερη αφοµοίωση των υπαρχόντων γνώσεων, την εκµάθηση ερευνητικών τεχνικών και την περαιτέρω εµβάθυνση στην φυσική των ηµιαγωγών και ηµιαγωγικών διατάξεων. |
| Διδακτέα Ύλη |
Στο πλαίσιο της εργαστηριακής άσκησης αναµένεται σηµαντική εµβάθυνση και πρωτοβουλία των φοιτητών στο σχεδιασµό και υλοποίηση των πειραµάτων και στην επεξεργασία των πειραµατικών δεδοµένων. Τα πειράµατα θα πραγµατοποιούνται κυρίως στα ερευνητικά εργαστήρια µικροηλεκτρονικής και νανοτεδοµών. Η θεµατολογία των ασκήσεων θα επιλέγεται µε ευελιξία και ενδεικτικά θέµατα µελέτης είναι τα εξής : Προσδιορισµός των ηλεκτρικών χαρακτηριστικών νέων ηµιαγωγικών ετεροδοµών µε µετρήσεις Αγωγιµότητας και Φαινοµένου Hall σε δείγµατα γεωµετρίας van der Pauw. Μελέτη των ηλεκτρονικών µεταβάσεων σε λεπτά υµένια ή κβαντικά πηγάδια ΙΙΙ-V ηµιαγωγών µε µετρήσεις Φασµατοσκοπίας Φωτοφωταύγειας σε θερµοκρασίες από 20Κ έως 300Κ. Μελέτη του ενεργειακού χάσµατος ηµιαγωγών µε µετρήσεις Οπτικής Διαπερατότητας. Ανάπτυξη στρωµάτων III-V ηµιαγωγών µε την µέθοδο Επίταξης µε Μοριακές Δέσµες καιέλεγχος της ανάπτυξης µε Περίθλαση Ανακλώµενων Ηλεκτρονίων Υψηλής Ενέργειας. Προσδιορισµός της σύνθεσης ετεροδοµών από πολλαπλά στρώµατα ΙΙΙ-V ηµιαγωγών, πάχους νανοµέτρων, µε µετρήσεις Περίθλασης Ακτίνων-Χ Υψηλής Ευκρίνειας. Μελέτη του τρόπου επιταξιακής ανάπτυξης µέσω της απεικόνισης της επιφάνειας ηµιαγωγών µε ακρίβεια ατοµικού επιπέδου µε Μικροσκοπία Ατοµικών Δυνάµεων (AFM). Μελέτη την ύπαρξης βαθέων ενεργειακών καταστάσεων µέσα στο ενεργειακό χάσµα ηµιαγωγών µε την µέθοδο Φασµατοσκοπίας Απόκρισης Βαθέων Παγίδων. Ανάλυση των µηχανισµών ρεύµατος σε διόδους επαφών pn ή Schottky σε νέα ηµιαγωγικά υλικά, µε µετρήσεις Ρεύµατος συναρτήσει Τάσης. Προσδιορισµός της κατανοµής φορέων σε νέες ηµιαγωγικές ετεροδοµές µε µετρήσεις Χωρητικότητας συναρτήσει Τάσης. Προσδιορισµός των χαρακτηριστικών λειτουργίας Τρανζίστορ Υψηλής Ευκινησίας Ηλεκτρονίων από ετεροδοµές ΙΙΙ-V ηµιαγωγών. Μέτρηση της απόδοσης και των χαρακτηριστικών λειτουργίας Φωτοβολταϊκών Κυψελίδων. Μελέτη της εκποµπής Διόδων Λέιζερ και της απόκρισης Φωτοανιχνευτών. |
| Βιβλιογραφία |
«Οπτοηλεκτρονική», Jasprit Singh, ΕΚΔΟΣΕΙΣ Α.ΤΖΙΟΛΑ Ε., 1998 «Device Electronics for Integrated Circuits», R.S. Muller & T.I. Kamins, 2nd Edition, John Wiley & Sons, NY, 1986 «Optoelectronic Semiconductor Devices», D. Wood, Prentice Hall, 1994 «Semiconductor Optoelectronic Devices», 2nd edition, P. Bhattacharya, Prentice Hall «Physics of Semiconductor Devices», 3rd edition, S. M. Sze and K. K. Ng, John Wiley & Sons, NJ, 2007 |
