Παράκαμψη προς το κυρίως περιεχόμενο

Στοιχεία Ηλεκτρονικών

Κωδικός
Φ-374
Επίπεδο
Προπτυχιακό
Κατηγορία
Β
Διδάσκων
Ε. Ηλιόπουλος
ECTS
7
Ώρες
6
Εξάμηνο
Εαρινό
Ανοικτό
Ναι
Προσφέρεται
Όχι
Σκοπός Μαθήματος
Σκοπός είναι να δώσει την ευκαιρία στο φοιτητή να πάρει ένα εισαγωγικό µάθηµα και να µάθει τη χρήση βασικών ηλεκτρονικών στοιχείων (δίοδος, τελεστικός ενισχυτής, διπολικό τρανζίστορ, τρανζίστορ εγκαρσίου πεδίου) στη σχεδίαση απλών κυκλωµάτων.
Πρόγραμμα
Δευτέρα 14:00-16:00, Αίθουσα 4
Τετάρτη 16:00-19:00, Εργαστήριο
Παρασκευή 15:00-17:00, Αίθουσα 4
Διδακτέα Ύλη
Εισαγωγή: Αναλογικά και ψηφιακά σήµατα, ενισχυτές, κυκλωµατικά µοντέλα για ενισχυτές, θεωρήµατα δικτύων.
Τελεστικοί Ενισχυτές: Ο ιδανικός τελεστικός ενισχυτής, η αναστρέφουσα και µη αναστρέφουσα συνδεσµολογία, παραδείγµατα κυκλωµάτων µε τελεστικούς ενισχυτές, µη ιδανική συµπεριφορά.
Δίοδοι: Η ιδανική δίοδος, χαρακτηριστικές των ακροδεκτών, ανάλυση κυκλωµάτων διόδων, µοντέλο ασθενούς σήµατος και εφαρµογές. Η επαφή p-n σε ανάστροφη πόλωση, η επαφή p- n σε ορθή πόλωση. Δίοδοι Zener, εφαρµογές σε κυκλώµατα.
Διπολικά Τρανζίστορ Ένωσης (BJT): Φυσική δοµή και περιοχές λειτουργίας, pnp και npn τρανζίστορ. Ανάλυση κυκλωµάτων µε τρανζίστορ σε λειτουργία DC. Το BJT ως ενισχυτής. Ισοδύναµα κυκλωµατικά µοντέλα ασθενούς σήµατος, πόλωση του διπολικού τρανζίστορ, συνδεσµολογία ενισχυτών ενός σταδίου, λειτουργία στην περιοχή χώρου και στην περιοχή αποκοπής, εφαρµογές σε κυκλώµατα. Τρανζίστορ Επίδρασης Πεδίου (FET): Δοµή και φυσική λειτουργία των MOSFET επαφής pn και απογύµνωσης. Το FET ένωσης (JFET), κυκλώµατα FET ως ενισχυτής, κυκλώµατα πόλωσης, συνδεσµολογίες ενισχυτών ενός σταδίου, ενισχυτές ολοκληρωµένων κυκλωµάτων MOS. Εφαρµογές CMOS, MESFET αρσενικούχου γαλλίου.
Βιβλιογραφία
S. Sedra and K. C. Smith «Μικροηλεκτρονικά Κυκλώµατα», Τόµος Α’, Εκδόσεις Παπασωτηρίου.
J. Millman and A. Grabel «Μικροηλεκτρονική», Τόµος Α’, Εκδόσεις Τζιόλα.